工业存储​eMMC与UFS是什么？两者的区别与基本介绍

工业存储eMMC与UFS是什么？两者的区别与基本介绍

eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。

简单地说，eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装

eMMC 则在其内部集成了 Flash Controller，用于完成擦写均衡、坏块理、ECC校验等功能，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。

eMMC具有以下优势：

eMMC标准：JEDD-2011年6月发布的JESD84-A441：Embedded MultiMediaCard（e•MMC）产品标准v4.5中定义的v4.5。JEDEC还发布了JESD84-B45：嵌入式多媒体卡e•MMC），2011年6月eMMC v4.5的电气标准（版本4.5设备）。2015年2月JEDEC发布eMMC标准 5.1版。

大多数主流中端手机采用的都是eMMC5.1的闪存，其理论带宽为600M/s。顺序读取速度为250M/s，顺序写入速度为125M/s。

新一代UFS：UFS：Univeral Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。

UFS早前被细分为UFS 2.0和UFS 2.1，它们在读写速度上的强制标准都为HS-G2（High speed GEAR2），可选HS-G3标准。而两套标准又都能运行在1Lane（单通道）或2Lane（双通道）模式上，一款手机能取得多少读写速度，就取决于UFS闪存标准和通道数，以及处理器对UFS闪存的总线接口支持情况。

UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写，所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是2.9GB/s。此外，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升且支持最新的NAND Flash闪存介质。

为了满足 5G 设备的需求，UFS 3.1 的写入速度是上一代通用闪存存储的 3 倍。此驱动器的 1,200 百万字节/秒 (MB/s) 速度可增强高性能，有助于防止下载文件时缓冲，从而让您在连接频繁的世界中享受 5G 的低延迟连接性。

写入速度高达 1,200MB/s(写入速度可能因容量而异：128 千兆字节 (GB) 高达 850MB/s，256GB 和 512GB 高达 1,200MB/s)。